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分立半导体
IRLR3717TRRPBF参考图片

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IRLR3717TRRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC
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库存:35,490(价格仅供参考)
数量单价合计
6,000
¥3.8985
23391
9,000
¥3.7629
33866.1
24,000
¥3.6386
87326.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.45 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
49 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.8 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001569116
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLR3717TRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
180:¥39.7308
250:¥36.499
500:¥33.2672
1,000:¥28.9732
参考库存:25619
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 1500W
250:¥119.9495
500:¥110.0394
参考库存:25622
分立半导体
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥5.3675
参考库存:25625
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥3.9776
6,000:¥3.8985
9,000:¥3.8307
24,000:¥3.5369
参考库存:25628
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥6.1811
10,000:¥5.7065
参考库存:25631
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