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分立半导体
IRGS6B60KTRLPBF参考图片

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IRGS6B60KTRLPBF

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数量单价合计
800
¥8.1473
6517.84
2,400
¥7.571
18170.4
4,800
¥7.2885
34984.8
9,600
¥7.0173
67366.08
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
13 A
Pd-功率耗散
90 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
RC
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001540974
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格，IRGS6B60KTRLPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N827UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥131.2382
200:¥119.6444
500:¥111.9604
参考库存:36022
1N6538/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥103.508
200:¥94.355
500:¥88.2869
1,000:¥80.9871
参考库存:36025
3EZ5.6D10/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥5.8195
4,500:¥5.6048
9,000:¥5.3788
参考库存:36028
JANTX1N5553US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥106.5025
200:¥97.1235
500:¥90.8294
1,000:¥83.3714
参考库存:36031
JANTXV1N4486US/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥133.5434
200:¥122.6389
500:¥116.6386
参考库存:36034
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