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分立半导体
TK40J60U(F)参考图片

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TK40J60U(F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 40A 600V 320W 3400pF 0.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
320 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20 mm
长度
15.5 mm
系列
TK40J60U
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
160 ns
典型接通延迟时间
120 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，TK40J60U(F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCH077N65F-F155
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
250:¥34.2729
参考库存:1568
T2535-800G-TR
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 25A BTA UL1557 Cert 4/3 Quadrant Triac
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥15.594
250:¥14.8256
1,000:¥11.2209
2,000:查看
参考库存:5727
IPP120N20NFDAKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 84A TO220-3
1:¥46.6464
10:¥39.6517
100:¥34.352
250:¥32.5779
参考库存:5495
BSC050NE2LS
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
5,000:¥3.0171
参考库存:19021
SSM3K59CTB,L3F
Toshiba
分立半导体
MOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
1:¥3.5369
10:¥2.3504
100:¥1.3108
1,000:¥0.9605
10,000:¥0.77631
20,000:查看
参考库存:5752
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