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分立半导体
IKW50N65F5AXKSA1参考图片

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IKW50N65F5AXKSA1

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数量单价合计
240
¥43.8779
10530.696
480
¥41.8778
20101.344
720
¥38.194
27499.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.66 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 F5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65F5A SP001187518
商品其它信息
优势价格,IKW50N65F5AXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
100:¥331.5646
250:¥309.507
参考库存:26383
分立半导体
MOSFET
1:¥54.8615
参考库存:4346
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 1500W 22.8V
250:¥100.4344
500:¥89.4395
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参考库存:26388
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥35.6515
10:¥29.5834
100:¥24.3628
250:¥23.5944
参考库存:26391
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:26394
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