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分立半导体
SQJ850EP-T1_GE3参考图片

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SQJ850EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ464EP-T1_GE3
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数量单价合计
3,000
¥5.7743
17322.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
29 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ850EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4947GP-E3/53
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1.0A 800 Volt 250ns 30A IFSM Trim Leads
12,000:¥1.01474
参考库存:25573
BUJ103A,127
WeEn Semiconductors
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL BIPOLAR
5,000:¥2.1131
10,000:¥2.034
25,000:¥1.9549
参考库存:25576
A3T18H400W23SR6
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,065.9968
5:¥1,045.024
10:¥996.3097
25:¥975.4047
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SS1FH10-M3/I
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30,000:¥0.61472
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Nexperia
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稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE
10,000:¥0.20792
20,000:¥0.1921
50,000:¥0.1695
100,000:¥0.13786
参考库存:25585
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