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分立半导体
IPD80N04S3-06参考图片

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IPD80N04S3-06

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T
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库存：34,840(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥3.7629
9407.25
10,000
¥3.616
36160
25,000
¥3.5143
87857.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPD80N04S306ATMA1 IPD8N4S36XT SP000261220
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZVN0545ASTZ
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2,500:¥4.407
5,000:¥4.1923
10,000:¥4.0341
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6,500:¥2.8702
13,000:¥2.7572
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1N6109US
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250:¥86.0608
500:¥76.6818
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参考库存:23386
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