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分立半导体
SIHF15N60E-E3参考图片

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SIHF15N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI7149ADP-T1-GE3
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数量单价合计
1
¥23.8204
23.8204
10
¥19.7524
197.524
100
¥16.2946
1629.46
250
¥15.7522
3938.05
500
¥14.1363
7068.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
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稳压二极管 ZENER DIODE SOD80 MINIMELF-e2
12,500:¥0.84524
25,000:¥0.77631
参考库存:25338
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