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分立半导体

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APT30GP60JDQ1

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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数量单价合计
19
¥194.1792
3689.4048
25
¥178.427
4460.675
50
¥173.0482
8652.41
100
¥164.8218
16482.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
67 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
245 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APT30GP60JDQ1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZPY47-TAP
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 47 Volt 1.3 Watt 5%
1:¥3.2318
10:¥1.8306
100:¥0.9831
500:¥0.78422
5,000:¥0.46104
10,000:查看
参考库存:27455
SZNZ3F15VT1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZENER VOLTAGE REGULATOR
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:27458
DMP10H4D2S-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
10,000:¥0.56048
20,000:¥0.52997
参考库存:27461
BZX584C36-V-G-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.95259
500:¥0.76049
3,000:¥0.49155
6,000:查看
参考库存:27464
AZ23C6V2-G3-18
Vishay
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.3W 5% CA
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
10,000:¥0.35369
20,000:查看
参考库存:27467
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