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分立半导体

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FS30R06XL4

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数量单价合计
20
¥376.29
7525.8
40
¥360.5378
14421.512
100
¥326.7282
32672.82
260
¥315.4282
82011.332
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
封装 / 箱体
EASY1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
45.6 mm
宽度
33 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FS30R06XL4BOMA1 SP000100284
商品其它信息
优势价格，FS30R06XL4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DRC3144G0L
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:25530
VS-ST303C08LFN1
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 515 Amp 800 Volt 995 Amp IT(RMS)
1:¥1,380.1255
5:¥1,346.9261
10:¥1,313.5007
25:¥1,295.0591
参考库存:25533
DRA3124T0L
Panasonic
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
10,000:¥0.56839
20,000:¥0.53788
参考库存:25536
VS-T85HF120
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1200 Volt 85 Amp
1:¥270.3977
5:¥258.2615
10:¥250.1933
25:¥229.9098
参考库存:25539
NTMFS4C53NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V
暂无价格
参考库存:25542
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