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分立半导体
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LET9070CB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz
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¥674.3501
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
17 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243
封装
Bulk
配置
Single Common Source
工作频率
1 MHz to 1 GHz
系列
LET9070CB
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 10 V, 15 V
商品其它信息
优势价格，LET9070CB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
L0103NE
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暂无价格
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JAN1N4972
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10:¥71.1561
25:¥64.8507
100:¥58.5566
参考库存:28560
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