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分立半导体
TSM8N80CI C0G参考图片

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TSM8N80CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800V 8A N Channel Power Mosfet
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库存:20,390(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥10.8367
43346.8
5,000
¥10.4525
52262.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
133 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TSM8N80CI C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 RAIL TRIAC
1:¥7.2207
10:¥5.9325
100:¥4.5539
500:¥4.0228
参考库存:15721
分立半导体
稳压二极管 100MW 36V
1:¥3.2318
10:¥2.2261
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
8,000:¥0.61472
24,000:查看
参考库存:15724
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
3,000:¥0.2147
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.14577
99,000:¥0.12317
参考库存:15727
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
1:¥2,209.2291
5:¥2,175.2613
10:¥2,142.9094
25:¥2,096.6585
50:¥2,064.4648
参考库存:15730
分立半导体
稳压二极管 T MET BI 1500W 22.8V SM
1:¥191.1734
5:¥182.5741
10:¥176.8902
25:¥162.5166
参考库存:15733
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