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分立半导体
TSM680P06CH X0G参考图片

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TSM680P06CH X0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V 18Amp P channel Power Mosfet
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库存:20,000(价格仅供参考)
数量单价合计
15,000
¥1.5933
23899.5
24,375
¥1.5481
37734.9375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251S-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
15.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29.6 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51.7 ns
典型接通延迟时间
8.3 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TSM680P06CH X0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR PCT 1400V 590A
1:¥878.4394
5:¥862.303
10:¥823.4988
25:¥796.0624
参考库存:3590
分立半导体
双向可控硅 600V 10A 50-50-50mA
1:¥18.4416
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:4009
分立半导体
双向可控硅 THY 4A 600V TRIAC
1:¥11.526
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.3054
参考库存:4609
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:5590
分立半导体
分立半导体模块 220 Amp 30 Volt 18000 Amp IFSM
1:¥352.3905
5:¥343.0115
10:¥329.7227
参考库存:3600
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