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分立半导体
TSM10NC65CF C0G参考图片

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TSM10NC65CF C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 650V, 10A, 0.9 Single N-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
4,000
¥4.8138
19255.2
5,000
¥4.5765
22882.5
10,000
¥4.4748
44748
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220S-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.700 g
商品其它信息
优势价格,TSM10NC65CF C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
高压触发二极管 SIDAC K1V series (Bi-directional)
2,500:¥7.7631
5,000:¥6.7574
10,000:¥6.5879
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500:¥37.8098
1,000:¥32.883
2,500:¥31.6626
参考库存:32717
分立半导体
桥式整流器 10A, 200V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥5.1867
2,400:¥4.7008
4,800:¥4.5991
9,600:¥4.2149
参考库存:32720
分立半导体
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17,500:¥0.36838
25,000:¥0.34578
参考库存:32723
分立半导体
桥式整流器 6A, 50V, SIL BRIDGE RECTIFIER
1,200:¥4.3844
2,400:¥4.2827
参考库存:32726
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