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分立半导体
CDM2206-800LR参考图片

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CDM2206-800LR

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V LR FET 6.0A 2.8nC 0.8Ohm
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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.2772
3638.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
24.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraMOS
封装
Bulk
系列
CDM220
商标
Central Semiconductor
下降时间
25.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22.7 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.3 ns
典型接通延迟时间
9.3 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMST4401,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:8410
TK9A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
1:¥17.8992
10:¥14.4414
100:¥12.9837
500:¥10.0683
参考库存:37417
BSC014N03LS G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8478
5,000:¥4.7912
10,000:查看
参考库存:2568
APD240VG-E1
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥2.8476
10:¥1.8871
100:¥0.791
1,000:¥0.53788
参考库存:4947
2SC4081T106S
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 150MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.3108
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:37424
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