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分立半导体
CSD17308Q3参考图片

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CSD17308Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
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库存:50,032(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.2206
52.206
100
¥3.3448
334.48
1,000
¥2.6781
2678.1
2,500
¥2.4408
6102
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
10.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
3.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD17308Q3
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
BQ500211AEVM-210
下降时间
2.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.9 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
41 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17308Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE
1:¥1,217.1456
5:¥1,187.7882
10:¥1,158.363
25:¥1,142.0684
参考库存:4674
分立半导体
MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5205
500:¥12.7577
1,000:¥10.5994
参考库存:5148
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 6A 1W DFN2020-3S
1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2374
3,000:¥1.8871
参考库存:10616
分立半导体
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
1:¥21.5943
10:¥18.2834
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:9801
分立半导体
分立半导体模块 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥5,859.05
5:¥5,765.3843
参考库存:4632
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