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分立半导体
BSS8402DW-7-F参考图片

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BSS8402DW-7-F

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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
3,000
¥1.1752
3525.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V, 50 V
Id-连续漏极电流
115 mA, 130 mA
Rds On-漏源导通电阻
7.5 Ohms, 10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS84
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.08 S, 0.05 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns, 18 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 10 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BSS8402DW-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 47K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
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稳压二极管 250mW 3.3V Zener
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
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1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
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1:¥2.4634
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.36838
参考库存:6347
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 50V
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:7310
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