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分立半导体
SI4946BEY-T1-E3参考图片

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SI4946BEY-T1-E3

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库存:25,230(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.684
768.4
500
¥6.102
3051
1,000
¥4.8703
4870.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI4
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI4946BEY-E3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI4946BEY-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 500mW PLZ Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥2.5312
10:¥1.6498
100:¥0.80682
500:¥0.68365
4,500:¥0.35369
9,000:查看
参考库存:23462
分立半导体
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
参考库存:2021
分立半导体
MOSFET Nch 200V 10A TO-252 (DPAK)
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.3563
500:¥6.4975
2,500:¥4.5539
10,000:查看
参考库存:3791
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
参考库存:2449
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
1:¥945.2111
参考库存:1326
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