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分立半导体
SIR826DP-T1-GE3参考图片

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SIR826DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥18.8258
188.258
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
3,000
¥12.7577
38273.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SIR826DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIR826DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UZ8845
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥208.4624
5:¥199.0947
10:¥192.8684
25:¥177.2744
参考库存:35918
FR154G-T
Rectron
分立半导体
整流器 DO-15 1.5A 400V 150n s.GP
8,000:¥0.43053
24,000:¥0.42262
参考库存:35921
1N4744A-B
Rectron
分立半导体
稳压二极管 1.0W 15V 5%
30,000:¥0.20792
50,000:¥0.1921
100,000:¥0.18419
参考库存:35924
JANTXV1N4622-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
271:¥53.1778
500:¥48.4883
1,000:¥42.262
参考库存:35927
RL206G-T
Rectron
分立半导体
整流器 2A 1.0Vf 800V
8,000:¥0.5989
12,000:¥0.43053
16,000:¥0.40002
参考库存:35930
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