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分立半导体
SQP100P06-9M3L_GE3参考图片

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SQP100P06-9M3L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存：8,648(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥18.984
189.84
100
¥15.594
1559.4
250
¥15.142
3785.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
300 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
187 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，SQP100P06-9M3L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRB1635HE3_A/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A,35V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
1:¥12.0684
10:¥9.9101
100:¥7.6501
500:¥6.5766
800:¥5.1867
参考库存:25335
APTM100DA18TG
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥642.9926
参考库存:25338
STAC4932F
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:25341
VS-ST280C06C0
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 600 Volt 500 Amp
1:¥515.054
5:¥505.6072
10:¥484.7022
25:¥469.5715
参考库存:25344
IPG20N04S4L07AATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8
1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
5,000:¥6.0681
10,000:查看
参考库存:25347
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