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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	650 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	-
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	12.5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
应用	Military Radar, Professional and Military Radio Communications
配置	Single
工作频率	DC to 6 GHz
系列	T2G
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors
零件号别名	1099997

商品其它信息

优势价格，T2G6000528-Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SS10P3CHM3_A/I	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 10A,30V,SM SKY RECT.	6,500:¥2.5764 13,000:¥2.4747 19,500:¥2.3843	参考库存:27576
2EZ47D5E3/TR12	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	4,000:¥5.0059 8,000:¥4.8025	参考库存:27579
NVMFS5C645NLWFAFT3G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET T6 60V SO8FL	5,000:¥4.0341 10,000:¥3.8759	参考库存:27582
IPB80R290C3AATMA2	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET	1,000:¥21.5152 2,000:¥20.4417	参考库存:27585
VS-ST110S16P0PBF	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	SCR 110 Amp 1600 Volt 175 Amp IT(RMS)	25:¥558.8528 50:¥551.1688 100:¥520.365	参考库存:27588