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分立半导体
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CGH40010F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
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¥429.3774
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
12.5 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
5.21 mm
工作频率
2 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH40010-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH40010F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S40K
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 800V 40A Std. Recovery
1:¥89.5977
10:¥80.6029
25:¥73.4613
100:¥66.3084
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MBR50045CT
GeneSiC Semiconductor
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5:¥703.2442
10:¥667.6605
25:¥636.5403
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GBPC12005-E4/51
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桥式整流器 12 Amp 50 Volt
1:¥33.8096
10:¥28.0466
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10:¥3.2318
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100:¥2.4295
1,800:¥1.2204
3,600:查看
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1N1202AR
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
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1:¥49.8669
10:¥44.7932
25:¥40.8043
100:¥36.8832
参考库存:4204
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