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分立半导体
TPH4R606NH,L1Q参考图片

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TPH4R606NH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
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数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
5,000
¥6.1472
30736
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
3.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH4R606NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,TPH4R606NH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE 1A, 40V
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.80682
1,000:¥0.50737
5,000:¥0.3842
参考库存:75763
分立半导体
整流器 1A, 1000V 1A, 1000V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
2,500:¥0.58421
10,000:查看
参考库存:51139
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
1:¥10.3734
10:¥8.2942
100:¥6.3506
500:¥5.6048
2,500:¥3.9211
10,000:查看
参考库存:4003
分立半导体
桥式整流器 400V 10A Bridge Rectifier
1:¥10.6785
10:¥9.379
25:¥8.4524
100:¥7.458
参考库存:3825
分立半导体
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥34.8831
10:¥29.6625
100:¥25.6623
250:¥24.3628
500:¥21.8203
参考库存:2615
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