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分立半导体
RHU003N03FRAT106参考图片

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RHU003N03FRAT106

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
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库存:9,791(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7967
17.967
100
¥0.75258
75.258
1,000
¥0.51528
515.28
3,000
¥0.40002
1200.06
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UMT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
RHU003N03FRA
商品其它信息
优势价格,RHU003N03FRAT106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 600V 25A REV Leads Std. Recovery
1:¥60.8618
10:¥54.7824
25:¥49.946
100:¥45.1096
参考库存:1508
分立半导体
MOSFET SMD-Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥5.537
10:¥4.7686
100:¥3.3109
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:3209
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:2315
分立半导体
肖特基二极管与整流器 6.0 Amp 30 Volt
1:¥15.5262
10:¥14.0572
100:¥12.1362
500:¥10.8367
1,000:¥10.1474
参考库存:2318
分立半导体
IGBT 晶体管 1250V 20A Shorted Anode IGBT
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:1335
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