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分立半导体
SQJQ410EL-T1_GE3参考图片

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SQJQ410EL-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:11,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥21.7412
217.412
100
¥17.8314
1783.14
250
¥15.368
3842
2,000
¥11.2209
22441.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
135 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
84 S
下降时间
87 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
69 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格,SQJQ410EL-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,200V,50NS,UF RECT
11,000:¥0.72998
参考库存:24395
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30,000:¥1.02943
参考库存:24398
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5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:24401
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双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:24404
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥700.0124
参考库存:24407
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