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分立半导体
CSD18501Q5A参考图片

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CSD18501Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
2,500
¥5.2658
13164.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
161 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18501Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
118 S
开发套件
EVMX777BG-01-00-00, EVMX777G-01-20-00
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns
单位重量
87.800 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18501Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥23.6622
10:¥18.984
100:¥17.289
250:¥15.594
参考库存:24281
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥463.6503
参考库存:24284
分立半导体
整流器 GP Fast Rec Si Rect SMA,1A,600V
10,000:¥0.30736
参考库存:24287
分立半导体
整流器 200mA 4000V
1,500:¥1.582
2,000:¥1.4238
参考库存:24290
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥255.4139
250:¥238.43
参考库存:24293
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