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分立半导体
SQ1563AEH-T1_GE3参考图片

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SQ1563AEH-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.9267
29.267
100
¥2.1696
216.96
500
¥1.7854
892.7
3,000
¥1.2656
3796.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
850 mA
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms, 500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV, 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
930 pC, 1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.6 S, 1.5 S
下降时间
17 ns, 20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns, 22 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 28 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 2 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，SQ1563AEH-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRF3045CTHC0
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2,000:¥4.9946
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肖特基二极管与整流器 2A, 200V, SCHOTTKY
20,000:¥0.68365
参考库存:21895
TSM4ND65CI C0G
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4,000:¥3.6838
10,000:¥3.5934
24,000:¥3.5143
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15,000:¥0.5537
22,500:¥0.53788
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分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,150V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
15,000:¥0.69156
22,500:¥0.66105
参考库存:21904
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