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分立半导体
SQJ459EP-T1_GE3参考图片

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SQJ459EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥10.5316
10.5316
10
¥9.379
93.79
100
¥7.6727
767.27
500
¥6.0116
3005.8
3,000
¥4.1923
12576.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
88 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ459EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS86310
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
3,000:¥6.9721
6,000:查看
参考库存:4806
F3L300R12ME4_B23
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1200V
1:¥1,397.9456
5:¥1,364.2942
10:¥1,330.4055
25:¥1,311.817
参考库存:1818
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
1:¥12.4526
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:5742
PMEG3002TV,115
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
4,000:¥0.61472
参考库存:43915
IHW50N65R5
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥36.1939
10:¥30.736
100:¥26.668
250:¥25.2781
500:¥22.6678
参考库存:2302
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