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分立半导体
IPB180N06S4H1ATMA2参考图片

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IPB180N06S4H1ATMA2

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库存:14,013(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.5097
245.097
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
1,000
¥15.2098
15209.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
IPB180N06
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPB180N06S4-H1 IPB18N6S4H1XT SP001028786
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB180N06S4H1ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3054
100:¥4.8251
500:¥4.2601
2,500:¥2.9945
10,000:查看
参考库存:4849
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 15MA 5V FT=5G
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:8434
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥2,586.7395
2:¥2,524.5782
5:¥2,497.6842
10:¥2,461.8745
参考库存:47250
分立半导体
整流器 Switching
1:¥33.1994
10:¥26.668
100:¥24.2837
250:¥21.8994
参考库存:3453
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:3809
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