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分立半导体
SI7625DN-T1-GE3参考图片

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SI7625DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:24,469(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.1755
71.755
100
¥5.5144
551.44
500
¥4.7347
2367.35
1,000
¥3.729
3729
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
126 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SI7625DN-GE3
商品其它信息
优势价格,SI7625DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3054
100:¥4.8251
500:¥4.2601
2,500:¥2.9945
10,000:查看
参考库存:4849
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 15MA 5V FT=5G
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:8434
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥2,586.7395
2:¥2,524.5782
5:¥2,497.6842
10:¥2,461.8745
参考库存:47250
分立半导体
整流器 Switching
1:¥33.1994
10:¥26.668
100:¥24.2837
250:¥21.8994
参考库存:3453
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:3809
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