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分立半导体
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CGHV40030F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.6 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
14.09 mm
工作频率
0.96 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
类
-
开发套件
CGHV40030-TB1
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5240BT-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 150MW 10V
3,000:¥0.48364
9,000:¥0.43053
24,000:¥0.4068
参考库存:15997
DMTH6004LPSQ-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4241
1,000:¥6.1472
2,500:¥6.1472
参考库存:4168
S1NBC60-7101
Shindengen
分立半导体
桥式整流器 1.5 Amp 600 Volt
1:¥10.5316
10:¥9.5259
100:¥8.2264
500:¥7.3789
参考库存:16002
1N5811C.TR
Semtech
分立半导体
整流器 150V 3A Ultrafast Rec Rectifier Diode
500:¥30.4309
1,000:¥25.8996
2,500:¥24.2046
参考库存:16005
L6004D6TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 4A Sensing 5-5-5-10mA
1:¥11.752
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.0737
参考库存:16008
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