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分立半导体
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CGHV40030F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.6 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
14.09 mm
工作频率
0.96 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
类
-
开发套件
CGHV40030-TB1
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ75D2/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥7.1642
4,500:¥6.9043
9,000:¥6.6331
参考库存:35107
JANTXV1N7054UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
100:¥119.5653
121:¥119.5653
200:¥109.0337
500:¥102.039
参考库存:35110
JAN2N3500/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥132.2439
250:¥120.5597
500:¥112.7966
参考库存:35113
JAN1N4103CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥142.8433
200:¥130.2438
500:¥121.8705
参考库存:35116
JAN1N965DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥102.4232
250:¥93.3606
500:¥87.3716
1,000:¥80.1396
参考库存:35119
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