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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Cree, Inc.
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-247-3
If - 正向电流	40 A (2 x 20 A)
Vrrm - 重复反向电压	1.2 kV
Vf - 正向电压	1.8 V
Ifsm - 正向浪涌电流	130 A
配置	Dual
技术	SiC
Ir - 反向电流	200 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
工作温度范围	- 55 C to + 175 C
类型	-
商标	Wolfspeed / Cree
Pd-功率耗散	532 W
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	30
子类别	Diodes & Rectifiers
trr - 反向恢复时间	-
单位重量	38 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD17322Q5A	Texas Instruments	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET	1:¥7.5258 10:¥6.4523 100:¥4.9381 500:¥4.3731 2,500:¥3.0623 10,000:查看	参考库存:4826
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