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分立半导体
CSD17306Q5A参考图片

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CSD17306Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥9.6841
9.6841
10
¥8.2942
82.942
100
¥6.3619
636.19
500
¥5.6274
2813.7
2,500
¥3.9437
9859.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17306Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
105 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
单位重量
86 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17306Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:1980
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