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分立半导体
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T2G6001528-SG

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
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数量单价合计
1
¥812.583
812.583
25
¥733.3587
18333.9675
100
¥661.8184
66181.84
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
5 A
输出功率
17 W
Pd-功率耗散
28 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
6 GHz
系列
T2G
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1113256
商品其它信息
优势价格，T2G6001528-SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTA113ZUAT106
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:4290
BC 857B E6433
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.29945
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:12261
DTA123JUAT106
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:11478
BSP61H6327XTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
达林顿晶体管 AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.7346
100:¥1.6724
1,000:¥1.2882
2,000:¥1.09836
参考库存:7231
NVMFS5832NLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
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1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1359
500:¥5.424
1,000:¥4.2827
1,500:¥3.7968
参考库存:4662
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