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分立半导体
STGW60H65DRF参考图片

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STGW60H65DRF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
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库存:3,376(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥68.6927
68.6927
10
¥62.0822
620.822
25
¥59.1668
1479.17
100
¥51.4037
5140.37
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
360 W
系列
STGW60H65DRF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW60H65DRF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4297
500:¥5.6839
参考库存:6870
分立半导体
双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
1,000:¥3.8081
参考库存:6850
分立半导体
PIN 二极管 PIN 50V 100MA
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.77631
参考库存:15250
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
1:¥2.2261
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:112505
分立半导体
MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:4448
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