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分立半导体
C2M1000170D参考图片

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C2M1000170D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
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数量单价合计
1
¥40.341
40.341
100
¥38.8042
3880.42
500
¥36.8832
18441.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.7 kV
Id-连续漏极电流
4.9 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V, - 10 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
0.9 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,C2M1000170D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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