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分立半导体
TGF2929-FL参考图片

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TGF2929-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
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库存:2,334(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,881.50
2881.5
25
¥2,600.5707
65014.2675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
28 V
增益
14 dB
输出功率
107 W
封装
Tray
工作频率
3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
144 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
145 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.9 V
零件号别名
1123811
商品其它信息
优势价格,TGF2929-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.3054
10:¥5.4353
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
参考库存:2192
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 1 Watt 10%
1:¥4.4522
10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
5,000:¥0.77631
10,000:查看
参考库存:7683
分立半导体
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
9,000:¥0.97632
参考库存:4159
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
参考库存:3153
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:7622
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