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产品分类

分立半导体
MMBT2222A-7-F参考图片

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MMBT2222A-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 300mW
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库存:767,962(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥0.99892
0.99892
10
¥0.94468
9.4468
100
¥0.33787
33.787
1,000
¥0.22261
222.61
3,000
¥0.1695
508.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT2222
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.6 A
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,MMBT2222A-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥38.7251
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:4316
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 45Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 300mW
1:¥5.9212
10:¥5.1189
100:¥3.5482
1,000:¥2.6442
参考库存:6587
分立半导体
MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥7.458
10:¥5.9664
100:¥4.5313
500:¥3.729
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:7596
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:4906
分立半导体
IGBT 模块
1:¥5,297.2705
5:¥5,212.5996
参考库存:3963
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