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分立半导体

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FCAB21350L1

  • Panasonic
  • 新批次
  • MOSFET Wide Pad Dual Nchannel MOSFET
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数量单价合计
1
¥13.3679
13.3679
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.379
937.9
500
¥7.2433
3621.65
1,000
¥5.5596
5559.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
12 A, 27 A
Rds On-漏源导通电阻
6.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
450 mW, 2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
FCAB
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Panasonic
下降时间
5 us
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 us
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 us
典型接通延迟时间
1.2 us
商品其它信息
优势价格，FCAB21350L1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UF1006-T
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 1.0A 800V
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
5,000:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:10000
IRF840LCLPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:2067
1N5407RLG
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 800V 3A Standard
1:¥3.0736
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,200:¥0.78422
2,400:¥0.66896
参考库存:4856
BZX79-C20,133
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥0.99892
10:¥0.88366
100:¥0.31527
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:16762
DD600N12K
Infineon Technologies
分立半导体
整流器 1.2KV 600A
1:¥1,766.7776
5:¥1,724.2896
10:¥1,681.4852
25:¥1,657.9021
参考库存:1672
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