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分立半导体
SI4447ADY-T1-GE3参考图片

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SI4447ADY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8
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库存:43,862(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.6838
36.838
100
¥2.8024
280.24
500
¥2.3052
1152.6
2,500
¥2.3052
5763
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
7.2 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI4447ADY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
1:¥3.6838
10:¥2.5312
100:¥1.7176
500:¥1.3786
14,000:¥0.82942
28,000:查看
参考库存:15702
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2
1:¥45.0305
10:¥38.2618
100:¥33.1994
250:¥31.4253
1,000:¥23.8204
2,000:查看
参考库存:8970
分立半导体
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.42262
参考库存:6410
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥1.8419
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.29154
参考库存:46260
分立半导体
MOSFET MV POWER MOS
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
2,500:¥6.554
5,000:查看
参考库存:3848
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