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分立半导体
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T1G2028536-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 250 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110346
商品其它信息
优势价格，T1G2028536-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-VSKV56/06
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 600 Volt 60 Amp 1256 Amp ITSM
1:¥312.8179
5:¥304.5124
10:¥292.6813
25:¥270.7028
参考库存:24179
T4771N28TOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR PCT 2800V
1:¥22,928.1294
参考库存:24182
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 2400 Volt 1473 Amp
1:¥2,152.1302
5:¥2,100.4214
10:¥2,048.2493
25:¥2,019.5134
参考库存:24185
SIHG33N65E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥52.7145
10:¥47.4826
25:¥43.2564
100:¥39.0302
250:¥35.8888
500:¥32.7361
参考库存:24188
VS-VSKC56/14
Vishay Semiconductors
分立半导体
分立半导体模块 1400 Volt 60 Amp 1360 Amp IFSM
1:¥284.6922
5:¥277.1664
10:¥266.4088
参考库存:24191
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