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分立半导体
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T1G2028536-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
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数量单价合计
1
¥3,903.472
3903.472
25
¥3,597.4228
89935.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
36 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
260 W
最大漏极/栅极电压
48 V
最大工作温度
+ 250 C
Pd-功率耗散
288 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
产品
RF Power Transistor
系列
T1G
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1110346
商品其它信息
优势价格，T1G2028536-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N4626D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥1,299.8277
参考库存:50258
FM5150B-W
Rectron
分立半导体
整流器
3,000:¥0.80682
6,000:¥0.73789
9,000:¥0.67574
24,000:¥0.66105
参考库存:50261
KMD40S
Rectron
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A, 40V mini-DIP Schottky bridge
6,000:¥0.64523
9,000:¥0.58421
24,000:¥0.5763
参考库存:50264
1N5348C/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥17.6732
参考库存:50267
UFS560G/TR13
Microsemi
分立半导体
整流器 Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
3,000:¥21.5943
参考库存:50270
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