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分立半导体
TGF3015-SM参考图片

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TGF3015-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
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数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
250
¥315.044
78761
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.1 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
557 mA
输出功率
11 W
Pd-功率耗散
15.3 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-EP-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
0.03 GHz to 3 GHz
商标
Qorvo
开发套件
TGF3015-SM-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1120419
商品其它信息
优势价格,TGF3015-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
参考库存:5220
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
1:¥2.8476
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:23982
分立半导体
MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
1,000:¥9.1417
参考库存:3305
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SS SWCH DIO SPCL
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:20573
分立半导体
整流器 HIGH VOLTAGE
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
800:¥5.8647
参考库存:3710
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