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分立半导体
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QH8JA1TCR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V Pch+Pch Si MOSFET
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库存：3,171(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3449
53.449
100
¥3.4465
344.65
1,000
¥2.7572
2757.2
3,000
¥2.3278
6983.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSMT-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms, 28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.2 nC, 10.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5.5 S, 5.5 S
下降时间
65 ns, 65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns, 32 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns, 70 ns
典型接通延迟时间
11 ns, 11 ns
零件号别名
QH8JA1
商品其它信息
优势价格，QH8JA1TCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DB3X316N0L
Panasonic
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY BARRIER GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.43844
6,000:¥0.43844
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.28476
参考库存:36400
APT10035LLLG
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥315.9706
5:¥305.3599
10:¥295.4498
25:¥273.2453
参考库存:1463
IRG7PH35UDPBF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
1:¥57.9351
10:¥52.3303
25:¥49.8669
100:¥43.3355
参考库存:1567
VS-CPU6006-N3
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 Freds - TO-247-e3
1:¥27.3573
10:¥22.6678
100:¥18.6676
250:¥18.0574
500:¥16.2155
参考库存:1692
BZX84J-B47,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 47V 2% 550mW 2-Pin
1:¥2.8476
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:13106
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