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分立半导体
SIR470DP-T1-GE3参考图片

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SIR470DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥21.7412
21.7412
10
¥18.0574
180.574
100
¥13.9894
1398.94
500
¥12.2944
6147.2
1,000
¥11.9102
11910.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
155 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
190 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SIR814DP-T1-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR470DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP HighG 40V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:4311
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
5,000:¥2.3843
参考库存:39978
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4351
1,000:¥1.07576
3,000:¥0.92999
参考库存:12016
分立半导体
MOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 3A STripFET VI
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
3,000:¥3.4804
9,000:查看
参考库存:9486
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:15004
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