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分立半导体
SQJ403EP-T1_GE3参考图片

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SQJ403EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:4,366(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.2999
92.999
100
¥7.1416
714.16
500
¥6.1359
3067.95
3,000
¥6.1359
18407.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
109 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
32 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
146 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ403EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 40W SNGL 200mA 4.75V Single Zener diodes
1:¥2.7685
10:¥1.9323
100:¥0.80682
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.43053
参考库存:22273
分立半导体
达林顿晶体管 10A 350V Bipolar Power NPN
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5316
800:¥8.7575
参考库存:1321
分立半导体
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
1:¥3.616
10:¥2.8137
100:¥2.0905
500:¥1.7176
3,000:¥1.2091
6,000:查看
参考库存:1458
分立半导体
MOSFET 80V N-CH Power MOSFET
1:¥33.5836
10:¥30.1936
100:¥24.6679
250:¥23.1311
参考库存:1687
分立半导体
MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,500:¥2.2148
参考库存:3806
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