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分立半导体
2N7002-7-F参考图片

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2N7002-7-F

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数量单价合计
1
¥1.3786
1.3786
10
¥1.2656
12.656
100
¥0.44522
44.522
1,000
¥0.29945
299.45
3,000
¥0.23052
691.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
210 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
223 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
540 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
2N7002
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.6 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,2N7002-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥2.2713
1,000:¥1.695
3,000:¥1.4464
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稳压二极管 62 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.5537
500:¥0.46104
2,500:¥0.26103
5,000:查看
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100:¥0.4068
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100:¥0.5763
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
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