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分立半导体
SI7317DN-T1-GE3参考图片

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SI7317DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:18,996(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2943
10.2943
10
¥9.0626
90.626
100
¥7.1868
718.68
500
¥5.5822
2791.1
3,000
¥3.9889
11966.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
优势价格,SI7317DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥12.9837
10:¥10.9836
100:¥8.8366
500:¥7.684
3,000:¥5.9664
6,000:查看
参考库存:6342
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 1.5A 2.1W
1:¥3.1527
10:¥2.1357
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
参考库存:20883
分立半导体
MOSFET 20V 8.0A 3.5W
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:6571
分立半导体
MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.119
2,500:¥4.9833
10,000:查看
参考库存:19372
分立半导体
MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:11762
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