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分立半导体
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IPB107N20NA

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数量单价合计
1
¥56.7034
56.7034
10
¥51.2568
512.568
25
¥48.8725
1221.8125
100
¥42.4202
4242.02
1,000
¥32.1937
32193.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
9.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
87 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB107N20NAATMA1 IPB17N2NAXT SP000877674
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，IPB107N20NA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RSFML R3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 0,5A, 1000V, SMF FAST RECOVERY
3,600:¥0.62263
9,000:¥0.48364
23,400:¥0.43844
48,600:¥0.39211
99,000:¥0.3616
参考库存:32141
S3MBHR4G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMB RECTIFIER
6,000:¥0.92208
9,000:¥0.87575
参考库存:32144
HS3FBHR4
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A,300V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
6,000:¥0.91417
9,000:¥0.86784
参考库存:32147
SSL13HF2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Low VF 1Amp 30v SMD Schottky Rectifier
15,000:¥1.356
参考库存:32150
S2MA R3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
3,600:¥0.72998
9,000:¥0.56839
23,400:¥0.51528
48,600:¥0.46104
99,000:¥0.43053
参考库存:32153
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