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分立半导体
SP8M6FRATB参考图片

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SP8M6FRATB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch+Pch 30V Vds 5A 3.9Qg SOP8
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库存:3,956(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1471
41.471
100
¥2.6781
267.81
1,000
¥2.147
2147
2,500
¥2.147
5367.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5 A, 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.9 nC, 5.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
5 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns, 15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 10 ns
零件号别名
SP8M6FRA
商品其它信息
优势价格,SP8M6FRATB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥1,329.7162
5:¥1,297.6694
10:¥1,265.4757
25:¥1,247.7234
参考库存:2152
分立半导体
整流器 high volt rectifier
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:3545
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
1:¥17.515
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:8379
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9838
500:¥13.0628
800:¥10.8367
参考库存:3472
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:3144
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