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分立半导体
IRFP3703PBF参考图片

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IRFP3703PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
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数量单价合计
1
¥31.7304
31.7304
10
¥26.9731
269.731
100
¥23.3571
2335.71
250
¥22.2045
5551.125
500
¥19.8993
9949.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
209 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
123 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001556744
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRFP3703PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥6.8817
800:¥6.8817
参考库存:38082
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1:¥91.8238
10:¥83.5296
25:¥77.2242
50:¥73.0771
参考库存:38085
分立半导体
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1:¥43.2564
10:¥34.804
100:¥31.7304
250:¥28.589
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1:¥7.1416
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
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参考库存:38090
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1:¥70.7719
10:¥63.6981
50:¥58.0933
100:¥52.4094
参考库存:38093
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