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分立半导体
CSD13202Q2参考图片

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CSD13202Q2

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
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库存:28,012(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3787
33.787
100
¥2.0566
205.66
1,000
¥1.582
1582
3,000
¥1.356
4068
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
14.4 A
Rds On-漏源导通电阻
9.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
580 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
5.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD13202Q2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
13.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,CSD13202Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
7,500:¥0.43053
22,500:查看
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1:¥6.6896
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
5,000:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:35413
分立半导体
整流器 200Volt 2x3Amp
1:¥6.6896
10:¥5.3449
100:¥4.0567
500:¥3.3448
1,000:¥2.6781
3,000:¥2.4295
参考库存:7770
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3111
500:¥6.2828
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分立半导体
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1:¥4.8364
10:¥3.6047
100:¥2.2713
1,000:¥1.695
3,000:¥1.4464
参考库存:35421
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